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    SiC 混合模块

    碳化硅(SiC)混合模块是具有高功率密度的 IGBT 集成功率模块。它们的开关损耗比非混合模块更低,工作温度也高于其他类型的半导体。碳化硅混合模块可用于要求低损耗的大功率应用。对于需要高频开关的系统,碳化硅混合模块的效率更高。


    IGBT&混合SIC模块.jpg

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    • VCES (V)
      • 650
      • 1200

      重置筛选

    • IC (A)
      • 300
      • 450
      • 600

      重置筛选

    • VCE(sat) (V)
      • 1.40
      • 1.85
      • 1.90

      重置筛选

    • RthJC (K/W)
      • 0.048
      • 0.065
      • 0.25

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    • Tjmax
      • 175℃

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    • Packages
      • GHP
      • GWB

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    Type
    VCES (V)
    IC (A)
    VCE(sat) (V)
    RthJC (K/W)
    Tjmax
    Packages
    筛选
    • 650
    • 1200

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    • 300
    • 450
    • 600

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    • 1.85
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